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氮矽科技荣获2021中国IC设计成就奖之最佳新材料器件奖


3月22日,记者从成都高新区电子信息产业发展局获悉,在近日举行的“2021中国IC领袖峰会暨中国IC设计成就奖颁奖典礼”上,区内企业成都氮矽科技有限公司(以下简称“氮矽科技”)自主设计研发的DX6510D(650V氮化镓功率器件4x4mm)荣获2021中国IC设计成就奖之年度最佳新材料器件奖。


记者了解到,中国IC设计成就奖颁奖典礼旨在表彰中国IC设计链中占据领先地位,或展现卓越设计能力与技术服务水平,或具极大发展潜力的最佳公司、团体、以及杰出个人。2021年是第19年连续举办IC设计调查及奖项评选,受到了广大IC设计工程师和企业高管的关注与认可。中国IC设计成就奖已成为中国电子业界最具专业性和影响力的技术奖项之一。

DX6510D是氮矽科技于2020年11月推出的一款全球最小650V/160mΩ氮化镓功率器件,也是目前氮矽科技最新的一款产品,其采用为氮化镓量身定做的全新自研板级封装、双面散热,散热能力远超同尺寸DFN。

据介绍,氮矽科技自2019年4月成立以来成长迅速,不断发展壮大。初创团队拥有欧美及国内氮化镓领域超过5年的研发及行业经验;公司与成都电子科技大学、广东省科学院以及多家知名企业有深度合作并建立联合研发平台,公司推出了国内首款GaN栅极驱动芯片DX1001A系列,打破国外在此领域的垄断。

该公司相关负责人表示,未来公司将加大研发投入、不断发展创新、不断提升产品竞争力、不断完善服务体系,为客户提供优质的产品及服务体验。(记者 黄启恒 受访单位供图 编辑 从心

来源:成都高新区融媒体中心     发布日期:2021-03-24